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137-2866-5346多晶硅片的典型生產(chǎn)工藝如下：
（1）裝料：將清洗后的或免洗的 51 料裝入噴有氮化硅的涂層的石英坩堝內(nèi)， 整體 放置在定向凝固塊上，下爐罩上升與上爐罩合攏，抽真空，并通入氬氣作為保護(hù)氣體， 爐內(nèi)壓力大致保持在 4×104- 6×104Pa 左右；
（2）加熱：利用均布于四周的石墨加熱器按設(shè)定的速率緩慢加熱，去除爐內(nèi)設(shè)施 及硅料表面吸附的濕氣等；
（3）熔化：增大加熱功率，使?fàn)t內(nèi)溫度達(dá)到 1540℃左右的硅料熔化溫度并一直保 持直至硅料完全熔化；
（4）長晶：Si 料熔化結(jié)束后，適當(dāng)減小加熱功率，工作區(qū)溫度降至 1430℃左右的 硅的熔點(diǎn)， 緩慢提升隔熱籠， 使石英坩堝底部的定向凝固塊慢慢露出加熱區(qū)， 形成垂直 方向的大于 0℃的溫度梯度，坩堝中硅料的溫度自底部開始降低并形成固液界面， 多晶 開始在底部形成， 隨著隔熱籠的提升， 水平的固液界面也逐漸上升， 多晶硅呈柱狀向上 生長，生長過程中需要盡量保持水平方向的零溫度梯度， 直至晶體生長完成， 該過程視 裝料的多少而定，約需要 20- 30h；
（5）退火：長晶完成后，由于坩堝中 51 料的上部和下部存在較大的溫差，這時(shí)的 多晶硅錠會存在一定的熱應(yīng)力，容易在后道剖錠、切片和電池制造過程中碎裂，因此， 長晶后應(yīng)保溫在硅熔點(diǎn)附近一段時(shí)間以使整個(gè)晶錠的溫度逐漸均勻，減少或消除熱應(yīng) 力；
（6）冷卻：退火后，加熱器停止加熱，并通入大流量氬氣，使?fàn)t內(nèi)溫度逐漸降低， 氣壓逐漸回升，直至達(dá)到大氣壓及容許的出錠溫度。
（7）出錠：降低下爐罩，露出固定器上的坩堝，用專用的裝卸料叉車將坩堝叉出；
（8）破錠：利用剖錠機(jī)將多晶硅錠上易吸收雜質(zhì)的上下表面及周邊切除，按所需 硅片尺寸﹙如 125mm×125mm規(guī)格或 156mm×156mm規(guī)格﹚切割成均勻的方形硅柱；
（9）切片：用多線切割機(jī)將方形 Si 柱切割成厚度為 220?m左右的多晶硅片；
（10） 清洗、包裝：清洗切好的硅片以去除切削液及表面的其他殘余物，烘干后包裝待用， 工 藝結(jié)束。
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